Вопросы к экзамену по электронной технике

Вопросы к экзамену по дисциплине: «Электронная техника» гр.Э4з

1.Электропроводность полупроводников.

2. Электропроводность полупроводников. Полупроводник с дырочной электропроводностью.

3. Электропроводность полупроводников. Полупроводник с электронной  электропроводностью.

4.Образование и подключение p-n- перехода.

5.Эдектрофизические процессы, сопровождающие получение электронно-дырочного перехода; его свойства и использование в полупроводниковых приборах.

6.Классификация и общая характеристика полупроводниковых приборов.

7. Полупроводниковые диоды. Свойства полупроводниковых диодов, особенности ВАХ, маркировка, условное графическое обозначение.

8.Выпрямительные диоды. Устройство, ВАХ, параметры выпрямительных диодов.

9.Высокочастотные диоды. Свойства, особенности ВАХ, маркировка, параметры, условное графическое обозначение высокочастотных  диодов.

10.Стабилитроны. Свойства , особенности ВАХ, маркировка, параметры, условное графическое обозначение стабилитронов.

11.Фотодиод. Устройство, принцип действия, режимы работы, параметры, условное графическое обозначение.

12.Биполярные транзисторы. Устройство, классификация, маркировка.

13. Биполярные транзисторы. Основные процессы, протекающие в биполярном транзисторе.

14. Биполярные транзисторы .Усилительные свойства транзисторов.

15. Биполярные транзисторы. Устройство, схемы включения транзисторов.

16. Биполярные транзисторы. Устройство, схема включения транзистора с общей базой.

17. Биполярные транзисторы. Устройство, схема включения транзистора с общим эмиттером.

18. Биполярные транзисторы. Устройство, схема включения транзистора с общим коллектором.

19.Выходные и управляющие характеристики биполярного транзистора.

20. Полевые транзисторы. Устройство, принцип действия, особенности выходных характеристик, маркировка, основные параметры, условное графическое обозначение.

21.Тиристоры. Устройство, принцип действия. Назначение, способы управления.

22. Полупроводниковые параметрические приборы. Терморезисторы.

23. Полупроводниковые параметрические приборы. Фоторезисторы.

24.Интегральные микросхемы. Классификация и уровень интеграции микросхем.

25. Аналоговые микросхемы. Классификация интегральных усилителей по группам.

26. Цифровые ИМС. Простейшие логические функции цифровых ИМС.

27.Классификация усилителей, структурная схема. Качественные характеристики транзисторного усилителя.

28.Характеристика параметров усилителей. Входное и выходное сопротивления. Коэффициент усиления.

29. Характеристика параметров усилителей. Амплитудно-частотная и фазо — частотная характеристики. Линейные искажения.

30. Характеристика параметров усилителей. Амплитудная характеристика. Динамический диапазон. Коэффициент полезного действия усилителей.

31.Обратная связь в усилителях.

32.Дифференциальные усилители.

33.Операциоонные усилители.

34.Приборы для отображения информации. Электронно-лучевая трубка. Устройство, принцип действия, параметры ЭЛТ.

35. Буквенно-цифровые и знаковые индикаторы. Накальные и катодолюминесцентные индикаторы. Устройство, принцип действия, области применения.

36.Сегментные электролюминесцентные индикаторы. Устройство, принцип действия, области применения.

37.Жидкокристалические индикаторы. Устройство, принцип действия, области применения.

38.Назначение и классификация генераторов гармонических колебаний. Условия самовозбуждения автогенераторов.

39.LC  и  RC- автогенераторы.

40.Импульсные устройства. Классификация по форме импульсов и их параметры.

41.Электронные ключи.

42.Ограничители сигнала.

43.Мультивибраторы.

44. Триггеры на биполярных транзисторах.

45. Триггеры на цифровых элементах.

46.Назначение и классификация выпрямителей.

47.Сглаживающие фильтры.

48.Параметрические стабилизаторы.

49. Компенсационные стабилизаторы.

50. Классификация инверторов и преобразователей частоты.

52. Генераторы пилообразного напряжения.

53. Инверторы, ведомые сетью.

54. Преобразователи частоты.

55.Особенности импульсного метода регулирования постоянного напряжения.

56.Классификация широтно-импульсных преобразователей и их сравнительная оценка

57. Тиристорные регуляторы переменного тока.

58. Контакторы переменного тока.

22

Экзаменационные вопросы по дисциплине «Электронная техника»

2010-2011 Учебный год

1. Физические основы электронных приборов.

ОБЩИЕ
СВЕДЕНИЯ ОБ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССАХ

Движение
электрона в однородном электрическом
поле. В электронных приборах движение
свободных электронов
происходит под действием электрических
или магнитных полей. В зависимости от
направления начальной
скорости электрона электрическое поле
может его движение ускорять, тормозить
или изменять
направление.

Движение
электрона в однородном магнитном поле,
В
ряде электронных приборов управление
траекто­рией
движения электронов осуществляется с
по­мощью
сил магнитного поля. Действие магнитного
поля на электрон аналогично действию
магнитного поля
на проводник с током.

На
неподвижный элект­рон
и электрон, перемещающийся вдоль линий
поля, магнитное
поле не оказывает воздействия. маг­нитное
поле не изменяет скорости электрона, а
изменяет
его направление.

Магнитное
поле не изменяет энергии
движущегося электрона, а изменяет только
траекторию
его движения. Это свойство магнитного
поля используется в электронно-лучевых
трубках и других
электронных приборах.

Работа
выхода электронов. Принцип действия
электронных приборов основан на явлении
электрон­ной
эмиссии — процессе выхода электронов
с поверх­ности
твердого тела в вакуум.

В
зависимости от вида дополнительной
энергии, используемой
для того, чтобы электроны могли совершить
работу выхода, различают несколько
видов
электронной эмиссии: термоэлектронную,
фотоэлектронную,
вторичную и электростатическую.

Виды
электронной эмиссии.
Термоэлектронной эмиссией
называется процесс излучения электронов
с поверхности
нагретого металла. Этот вид электрон­ной
эмиссии широко используется в
электровакуумных
и некоторых ионных приборах.

Фотоэлектронной
эмиссией называется
процесс выхода
электронов с поверхности металла,
облучаемого
лучистой энергией. Явление фотоэлектронной
эмиссии
носит название внешнего фотоэффекта.
За счет
поглощенной энергии светового потока
увели­чивается
энергия электронов в металле.

Вторичная
электронная эмиссия—это
эмиссия электронов
с поверхности металла при облучении
его потоком
электронов.

Электростатическая
(автоэлектронная) эмис­сия-—
это эмиссия электронов с поверхности
металла (холодного) под действием
сильного ускоряющего электрического
поля (10^б—10⁸
В/см).

ЭЛЕКТРОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Внутренняя
структура полупроводников. Полупро­водниками
называют
обширную группу химических
элементов и их соединении, у которых
удельное сопротивление
занимает промежуточное место между
проводниками и диэлектриками.

Физическая
сущность проводимости полупровод­ников
существенно отличается от процессов
проводимости
в металлах. Наиболее важным является
то, что
проводимость в полупроводниках
осуществляется двумя
видами подвижных носителей электрических
зарядов
— отрицательно заряженными свободными
электронами
и положительно заряженными дыр­ками
— электронами замещения.

Проводимость,
обу­словленная
движением свободных электронов,
назы­вается электронной,
а
проводимость, вызываемая движением
дырок,— дырочной.

Электронную
проводимость называют проводи­мостью
n-типа
(от negative
— отрицательный), а ды­рочную
называют проводимостью p-типа
(от posi­tive
— положительный).

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]

• #
• #
• #
• #
• #
• #
• #
• #
• #
• #
• #

ВОПРОСЫ к ЭКЗАМЕНУ

по дисциплине «Электронная техника»

Введение

1. Цели и задачи дисциплины, ее роль, значение. Применение электронных устройств на производстве и в быту.

2. Понятие «электроника», история и перспективы развития электроники.

3. Понятие «промышленная электроника», основные направления развития и применения промышленной электроники.

4. Классификация электронных устройств и приборов. Требования, предъявляемые к электронной аппаратуре.

Тема 1.1 Физические основы электроники. Электронные приборы

1. Собственная проводимость и способы образования примесных (электронной и дырочной) проводимостей полупроводников.

2. Образование и свойства электронно-дырочного перехода.

3. Классификация и характеристика p-n-переходов.

4. Прямое и обратное включение p-n-переходов. Вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-переходов.

5. Пробой p-n-перехода: понятие, виды и характеристика.

6. Характеристики и параметры полупроводниковых диодов.

7. Типы и признаки отличия полупроводниковых диодов.

8. Выпрямительные диоды: условное обозначение, конструкция, ВАХ, основные характеристики и параметры, область применения.

9. Стабилитроны и стабисторы: условное обозначение, конструкция, ВАХ, основные характеристики и параметры, область применения.

10. Варикапы: условное обозначение, конструкция, вольтфарадная характеристика, основные характеристики и параметры, область применения.

11. Туннельные и обращенные диоды: условное обозначение, конструкция, ВАХ, основные характеристики и параметры, область применения.

12. Биполярные транзисторы: структура, условное обозначение и принцип действия.

13. Основные характеристики и параметры биполярных транзисторов. Режимы работы биполярных транзисторов.

14. Схемы включения биполярного транзистора: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК).

15. Классификация, характерные особенности и принцип действия полевых транзисторов.

16. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом: структура, условное обозначение, основные характеристики и параметры, принцип действия.

17. Полевой транзистор с изолированным затвором: структура, условное обозначение, основные характеристики и параметры, принцип действия.

18. Фототранзисторы: условное обозначение, принцип действия, область применения.

19. Классификация тиристоров, их структура и условные обозначения, коммуникационные процессы и применение.

20. Устройство, принцип действия диодных тиристоров, их характеристики и параметры.

21. Устройство, принцип действия триодных тиристоров, их характеристики и параметры.

22. Разновидности, характеристика и достоинства оптоэлектронных приборов.

23. Светодиоды: структура, условное обозначение, схема включения, применение, основные характеристики и параметры.

24. Оптроны: понятие, условное обозначение, назначение, основные характеристики.

25. Фоторезисторы: структура, условное обозначение, принцип действия, основные характеристики и параметры.

26. Фотодиоды: структура, условное обозначение, схемы включения, основные характеристики и параметры.

Тема 2.2 Электронные выпрямители и стабилизаторы

1. Классификация, состав и основные характеристики источников вторичного электропитания (ИВЭП).

2. Виды выпрямителей и их характеристики.

3. Однофазные выпрямители: принцип действия, временные диаграммы токов и напряжений.

4. Трехфазные выпрямители: принцип действия, временные диаграммы токов и напряжений.

5. Классификация, параметры и принцип действия фильтров.

6. Классификация и принцип работы стабилизаторов.

Тема 2.3 Электронные усилители

1. Понятие, структура, классификация, назначение, основные характеристики и параметры усилителей.

2. Усилительные каскады: понятие, устройство и межкаскадные связи.

3. Обратная связь (ОС) в усилителе: понятие, виды, назначение, влияние отрицательной обратной связи (ООС) на параметры усилителя.

4. Сравнительная характеристика режимов (классов) работы усилителей.

5. Усилитель постоянного тока (УПТ): понятие, назначение, особенности и межкаскадные связи.

6. Дрейф нуля УПТ: физический смысл, причины возникновения и способы борьбы с ним.

7. Дифференциальные усилители: принцип построения, назначение.

8. Операционные усилители: понятие, назначение, условное обозначение и типичная схема.

9. Классификация, основные характеристики и применение операционных усилителей.

10. Усилитель мощности: понятие, назначение, выбор источника питания, схема согласования усилителя и нагрузки.

11. Однотактный выходной трансформаторный каскад: режим (класс) работы, графическое представление мощности, применение и недостатки.

12. Двухтактный выходной трансформаторный каскад: режим (класс) работы, применение, достоинства и недостатки.

13. Двухтактный выходной бестрансформаторный каскад: режим (класс) работы, применение, достоинства и недостатки.

Тема 2.4 Электронные генераторы и измерительные приборы

1. Виды, параметры и временные диаграммы электрических сигналов.

2. Характеристика и параметры импульсных сигналов.

3. Классификация и характеристика устройств для формирования импульсов.

4. Назначение, виды генераторов электрических сигналов.

5. Принципы построения генератора: этапы функционирования, условие возбуждения колебаний.

6. Классификация и сравнительная характеристика генераторов гармонических колебаний.

7. Виды и характеристика режимов работы генераторов импульсных сигналов.

8. Классификация и характеристика генераторов прямоугольных сигналов.

9. Классификация и характеристика генераторов линейно-изменяющегося напряжения.

10. Назначение, устройство, структурная схема электронного цифрового вольтметра.

11. Назначение, устройство, структурная схема электронного осциллографа.

Тема 2.5 Электронные устройства автоматики и вычислительной техники

1. Измерение неэлектрических величин электрическими методами.

2. Назначение устройство и принцип работы электромагнитного реле.

Тема 2.6 Микропроцессоры и микро-ЭВМ

1. Понятие о микропроцессорах и микро-ЭВМ. Структурная схема, микро-ЭВМ

2. Классификация и характеристика интегральных микросхем.

3. Гибридные интегральные микросхемы: особенности и технология изготовления.

4. Полупроводниковые интегральные микросхемы: особенности и технология изготовления.

5. Логические функции и элементы: их характеристика и схемотехническая реализация.

6. Триггеры: устройство, принцип действия, применение.

7. Счетчики импульсов и регистры: основные виды и их характеристика.

8. Классификация и характеристика запоминающих устройств.

ЗАДАЧИ к ЭКЗАМЕНУ

по дисциплине «Электронная техника»

Задача 1. В транзисторе КТ315А, включенном по схеме с общим эмиттером, ток базы изменялся на 0,1 мА. Определить изменение тока эмиттера, если коэффициент передачи тока базы h_21Б = 0,975.

Задача 2. По семейству выходных характеристик транзистора КТ339А в схеме с общим эмиттером определить ток базы I_Б и напряжение на коллекторе U_K в рабочей точке А, в которой ток коллектора Iк⁼6 mA, а мощность, рассеиваемая на коллекторе, Р_к=72 мВт.

Задача 3. Найти значения К_U, К_I, R_ВХ и R_ВЫХ эмиттерного повторителя на транзисторе П416, у которого h₁₁ = 650 Ом, h₂₁ = 40, h₂₂ = 1,5*10^-4См, если сопротивление резистора R_Э = 2кОм.

Задача 4. Определить коэффициент усиления усилителя по напряжению, если ток через нагрузочный резистор сопротивлением R_Н=250Ом равен 20мА, а входное напряжение U_ВХ = 0,1В.

Задача 5. Для диода Д312 при изменении прямого напряжения U_ПР от 0,2 до 0,8 В прямой ток увеличивается от 2,5 до 16 мА. Определить крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление диода.

Задача 6. Определить изменение прямого тока для диода Д311А, если известно, что при изменении прямого напряжения U_ПР от 0,2 до 0,6 В крутизна характеристики S= 150 м*См.

Задача 7. При изменении прямого напряжения U_ПР от 0,2 до 0,4 В дифференциальное сопротивление диода R_i=36,4 Ом. Определить изменение прямого тока диода.

Задача 8. Для схемы однополупериодного выпрямителя определить выпрямленное напряжение U_О, если амплитуда напряжения первичной обмотки трансформатора U_1m= 220 В, коэффициент трансформации n = 1,43.

Задача 9. Определить амплитуду переменного напряжения на нагрузке в схеме двухполупериодного выпрямителя, если выпрямленный ток, проходящий через каждый диод, I_О =70 мА, а сопротивление нагрузки R_Н =39 Ом.

Задача 10. Для транзистора КТ312А статический коэффициент усиления тока базы Определить, в каких пределах может изменяться коэффициент передачи тока эмиттера h_21Б.

Задача 11. Для транзистора ГТ109А коэффициент передачи тока эмиттера Определить, в каких пределах может изменяться коэффициент усиления тока базы.

Задача 12. Для схемы автогенератора гармонических колебаний LC- типа определить частоту колебаний, если параметры колебательного контура L_K = 600мкГн, С_K=1000пФ.

Задача 13. Определить длительность импульса для схемы транзисторного мультивибратора, если R_Б2 = 18кОм, С_Б2=0,02мкФ, Q=15.

Задача 14. Для схемы транзисторного мультивибратора определить параметры R_Б2, С_Б2, если R_Б1 = 16кОм, С_Б1 =0,015 мкФ, Q=2.

Задача 15. Для схемы одновибратора определить длительность импульса, если R_Б=15кОм, С_Б=0,01 мкФ.

Задача 16. На нижней граничной частоте двухкаскадного усилителя коэффициент частотных искажений второго каскада М_Н2 = 1,3 при общем коэффициенте частотных искажений М_Н =1,41. На средних частотах усиление усилителя К = 200 и усиление второго каскада К₂ = 10. Определить напряжение на выходе первого каскада на нижней граничной частоту, если входное напряжение усилителя для всех частот одинаково: U_ВХ = 50 мВ.

Задача 17. В трехкаскадном усилителе первый каскад, имеющий коэффициент усиления К₁=20, охвачен цепью отрицательной обратной связи с коэффициентом , а два других каскада охвачены общей цепью отрицательной связи при коэффициенте =0,02. Определить коэффициент усиления усилителя, если коэффициенты усиления второго и третьего каскадов соответственно равны К₂=20 и К₃=15.

Задача 18. В трехкаскадном усилителе усиление каждого каскада составляет 30, 20 и 10 дБ. Определить общее усиление усилителя.

Задача 19. Коэффициенты усиления отдельных каскадов усилителя составляют 20, 30 и 10. Определить общий коэффициент усиления усилителя. Перевести полученный результат в децибелы.

Задача 20. На входе усилителя имеется сигнал с напряжением U=5мВ. Определить напряжение на выходе усилителя, если его коэффициент усиления K_U=60 дБ.

Задача 21. Определить коэффициент усиления усилителя по мощности К_Р, если его коэффициент усиления по напряжению K_U =20дб, а по току K_I=10.

Задача 22. Напряжение на входе усилителя U_ВХ=20мВ. Определить мощность на выходе усилителя, если его сопротивление нагрузки R_Н=25 Ом, а коэффициент усиления по напряжению K_U=25.

Задача 23. В трехкаскадном усилителе коэффициент усиления К=300. Определить коэффициент усиления второго каскада, если известны К₁=20 дБ и К₃=6.

Задача 24. Коэффициент усиления по мощности усилителя К_Р =250. Определить коэффициент усиления по напряжению K_U, если коэффициент усиления по току K_I=28дБ.

Задача 25. На выходе двухкаскадного усилителя имеется напряжение U_ВЫХ=2 В. Определить напряжение на входе каждого каскада, если усиление первого каскада К₁=40 дБ, а второго K₂=20дБ.

Задача 26. Коэффициент усиления усилителя на средних частотах К_О=80. Определить коэффициент частотных искажений на нижней и верхней граничных частотах, на которых коэффициенты усиления соответственно К_Н=65 и К_В=55.

Задача 27. На верхней и нижней граничных частотах коэффициенты усиления усилителя К_В=30дб и К_Н=28дб. Определить коэффициенты частотных искажений М_В и М_Н, если коэффициент усиления усилителя на средних частотах К₀=35.

Задача 28. Коэффициент усиления каскада К₀ = 50. Как изменится усиление при введении отрицательной обратной связи =0,02?

Задача 29. После введения отрицательной обратной связи коэффициент усиления усилителя уменьшился с 150 до 100. Определить коэффициент обратной связи.

Задача 30. Двухкаскадный усилитель, имеющий коэффициенты усиления отдельных каскадов К₁=20 и К₂ =15, охвачен отрицательной обратной связью. Определить усиление усилителя, если коэффициент отрицательной обратной связи =0,01.

Задача 31. В биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, ток базы I_Б = 20мкА, ток коллектора I_К=1мА. Определить коэффициенты передачи тока и, если током I_КО можно пренебречь.

Задача 32. Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, если коэффициент передачи тока и схеме с общей базой = 0,96.

Задача 33. Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, если при изменении тока базы ток коллектора изменился на 5мА, а ток эмиттера — на 5,2мА.

Задача 34. Определить коэффициенты усиления по напряжению К_U и по току К_I, входное R_ВХ и выходное R_ВЫХ сопротивления усилительного каскада с общим коллектором на транзисторе ГТ322А, у которого h₁₁ = 330Ом, h₂₁= 56, h₂₂=62,5*10^-6См, если сопротивление резистора R_Э = 1 кОм.

Задача 35. Используя входную характеристику транзистора ГТ403А в схеме с сбщей базой, определить входное сопротивление постоянному току для напряжений U_Э =0,2; 0,4; 0,6 В.

Предложите, как улучшить StudyLib

(Для жалоб на нарушения авторских прав, используйте

другую форму
)

 Вопросы к экзамену по дисциплине «Технология материалов электронной техники», гр. 174, 11 января 2021 г.

1. Технологические среды в электронной технике.

1.1 классификация, области применения в электронной технике требования к газам;

1.2 адсорбенты, основные виды, характеристики, обоснование схем с двумя или тремя адсорберами;

1.3 схема установки для осушки и очистки от кислорода газообразного азота;

1.4 основные причины загрязнений производственных помещений; влияние влажности, температуры, запыленности; гермозоны, виды их организации, чистые комнаты;

1.5 вода в электронной технике, назначение, требования к воде и параметры оценки чистоты, источники загрязнений;

1.6 способы очистки воды, ионообменные смолы;

1.7 способы очистки воды, электроионнообменная установка

1.8 способы очистки воды, централизованная и финишная очистка воды.

1.9 способы очистки воды, применение обратного осмоса для очистки воды.

2. Конструкционные материалы в электронной и вакуумной технике:

2.1 классификация и виды конструкционных материалов, их основные характеристики, области применения в электронной технике.

2.2 конструкционные материалы для вакуумной техники – особенности требований, использование в установках общего и специального назначения.

3. Приборы для измерения температуры.

3.1 классификация приборов для измерения температуры, их краткая характеристики;

3.2 термопарный преобразователь: принцип действия, виды, температурные диапазоны измерений;

4. Приборы для измерения влажности газов.

4.1 классификация способов измерения влажности газовых сред, экспрес методв на основе цветовых адсорбционных индикаторов;

4.2 приборы по точке росы (ручной и автоматризированный): принцип действия, схемы и их описание;

4.3 кулонометрический измеритель влажности: принцип действия, схема и ее описание.